مشخصات ترانزیستور ماسفت RJK5020 MOSFET Transistor
قطبیت |
N-Channel |
---|---|
حداکثر توان مصرفی (Pd) |
200 W |
حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
500 V |
حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
30 V |
حداکثر جریان درین (Id) |
40 A |
جریان اشباع درین-سورس (Idss) |
0.001 mA |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
زمان صعود (tr) |
115 nS |
ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
5150 pF |
مقاومت درین-سورس (Rds) |
0.102 Ohm |
قاب ترانزیستور |
TO3P |
کاربردها |
High Speed Power Switching |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.