مشخصات ترانزیستور ماسفت FQP13N60 MOSFET Transistor
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
58 W |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
600 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
20 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
6.5 A |
| جریان اشباع درین-سورس (Idss) |
0.001 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
175 C |
| زمان صعود (tr) |
42 nS |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
1100 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
0.32 Ohm |
| قاب ترانزیستور |
To220 |
| کاربردها |
Switched mode power supplies , Uninterruptible Power Supplies , Power Factor Correction , Welding PDP and LCD Adapter |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.