مشخصات ترانزیستور ماسفت 12N80 MOSFET Transistor
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
360 W |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
800 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
30 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
12 A |
| جریان اشباع درین-سورس (Idss) |
0.25 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (tr) |
12 nS |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
2800 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
0.75 Ohm |
| قاب ترانزیستور |
TO3P,TO247,TO230,TO220F2 |
| کاربردها |
HiPerFET , Power MOSFET , Unclamped Inductive Switching UIS |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.