مشخصات ترانزیستور ماسفت 21N60 MOSFET Transistor
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
300 W |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
600 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
21 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (tr) |
250 nS |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
0.3 Ohm |
| قاب ترانزیستور |
TO247 |
| کاربردها |
Power MOSFET, HIPerFET |












دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.