مشخصات ترانزیستور ماسفت IXFH30N60 MOSFET Transistor
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
500 W |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
600 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
30 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
30 A |
| جریان اشباع درین-سورس (Idss) |
0.25 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (tr) |
200 nS |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
4000 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
0.24 Ohm |
| قاب ترانزیستور |
TO247 |
| کاربردها |
Power MOSFET |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.