مشخصات ترانزیستور ماسفت 18N50 MOSFET Transistor
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
239 W |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
500 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
30 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
19 A |
| جریان اشباع درین-سورس (Idss) |
1 uA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (tr) |
165 nS |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
2200 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
0.22 Ohm |
| قاب ترانزیستور |
TO3P |
| کاربردها |
high efficient switched mode power supplies and active power factor correction |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.