سبد خرید خالی می باشد

    سبد خرید شما خالی می باشد

    سبد خرید خالی می باشد

    سبد داخل شما خالی می باشد

نمایش سبد داخل

    سبد خرید خالی می باشد

    سبد خارج شما خالی می باشد

نمایش سبد خارج


ساخت تقویت کننده عملیاتی حرارت بالا با استفاده از کاربید سیلیسیوم

ساخت تقویت کننده عملیاتی حرارت بالا با استفاده از کاربید سیلیسیوم

کمپاني UK Raytheon به تازگي با همکاري دانشگاه Newcastle موفق به ساخت آمپليفاير عملياتي سيليکون کاربيدي شده است. محققان از خصوصيت حرارتي سيليکون کاربيد بجاي استفاده در يک دستگاه قدرت بالا , در يک مدار سيگنال کوچک استفاده کردند که به آن قابليت کار در حرارت بالا را ميدهد. تا به امروز , تمرکز استفاده از سيليکون کاربيد در الکترونيک قدرت و فعال کردن توانايي مواد جهت از بين بردن گرماي داخلي بده است. اما در اين پروژه تلاش متخصصان بر اين بوده که بتوانند مدار را طوري طراحي کنند تا در گرماي زياد و ساير محيط و شرايط کار نا مناسب بخوبي کار کند. دکتر آلتون هورسفال از دانشگاه نيوکسل ميگويد: " اين کار ميتواند منجر به مدارات کنترلي نصب شده روي توربين هاي گاز و يا مدارات داراي خنک کنندگي ثانويه در نيروگاه هاي هسته اي که دماي 350 درجه سانتي گراد دارند , شود. " مدار تقويت کننده بر اساس يک JFET سيگنال کوچک جانبي است که قابليت اطمينان و پايداري را در محيط نامناسب کار بهبود ميبخشد. تست هاي آزمايشگاهي نشان داده اند که اين آمپليفاير بهره (gain (مدار باز تا بيشتر از 1500 در محيط اتاق دارد. در آزمايشات بهره 200 در دماي 400 درجه به ثبت رسيد ولي اين حالت محدود به اجزائ غير فعال در مدار است.