مشخصات آی جی بی تی ترانزیستور GT40T101 Transistor IGBT
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
200 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
1500 V |
| ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (Vce sat) |
4 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-امیتر (Veg) |
25 V |
| حداکثر جریان کلکتور (Ic) |
40 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (Tr) |
0.6 uS |
| حداکثر ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
3600 pF |
| قاب ترانزیستور |
2-21F2C |
| کاربردها |
high power switching application |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.