مشخصات آی جی بی تی ترانزیستور GT60N321 Transistor IGBT
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
170 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
1000 V |
| ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (Vce sat) |
1.6 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-امیتر (Veg) |
25 V |
| حداکثر جریان کلکتور (Ic) |
60 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (Tr) |
0.23 uS |
| قاب ترانزیستور |
2-21F2C |
| کاربردها |
High-Power Switching Applications |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.