مشخصات آی جی بی تی ترانزیستور BUP314D Transistor IGBT
قطبیت |
N-Channel |
---|---|
حداکثر توان مصرفی (Pc) |
300 W |
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
1200 V |
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (Vce sat) |
2.7 V |
حداکثر ولتاژ گیت-امیتر (Veg) |
20 V |
حداکثر جریان کلکتور (Ic) |
52 A |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
زمان صعود (Tr) |
65 nS |
قاب ترانزیستور |
TO218 |
کاربردها |
general purpose applications |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.