مشخصات بی جی تی ترانزیستور MJE13009 Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
NPN |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
110 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
700 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
400 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
9 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
12 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
4 MHz |
| ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
180 pF |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
8 |
| قاب ترانزیستور |
To-220 |
| کاربردها |
ELECTRONIC TRANSFORMER FOR HALOGEN LAMPS,SWITCH MODE POWER SUPPLIES |
ترانزیستور MJE13009 قطعه ای سه پایه و از نوع ترانزیستور دوقطبی BJT - بی جی تی است. ترانزیستورها در مدارات به عنوان تقویت کننده، سوئیچ الکترونیکی، نوسان ساز، تثبیت کننده ولتاژ و ... به کار می روند. ترانزیستور MJE13009 از نوع منفی یا NPN بوده و جنس نیمه هادی آن سیلیسیم است.
کاربرد ترانزیستور MJE13009 در مدارات ترانس الکترونیکی لامپ هالوژن، منابع تغذیه سوئیچینگ و ... است.
ترانزیستور MJE13009 در حال حاضر در پکیج TO-220 در فروشگاه تکشوالکترونیک موجود است.
به زودی نحوه تست ترانزیستور MJE13009 و همچنین مشابه ترانزیستور MJE13009 در این صفحه معرفی خواهد شد.
دیتاشیت ترانزیستور MJE13009 در بخش دیتاشیت و فایل ضمیمه موجود است.
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور MJE13009 Transistor BJT
دیدگاه ها