مشخصات ترانزیستور ماسفت IRFBC30 MOSFET Transistor
| قطبیت |
NP -Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
74 W |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
600 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
20 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
3.6 A |
| جریان اشباع درین-سورس (Idss) |
0.1 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (tr) |
13 nS |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
660 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
2.2 ohm |
| قاب ترانزیستور |
TO220 |
| کاربردها |
Driver,General Purpose |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.