مشخصات ترانزیستور ماسفت 60N10 MOSFET Transistor
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
150 W |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
60 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
20 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
40 A |
| جریان اشباع درین-سورس (Idss) |
10 uA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (tr) |
280 nS |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
4800 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
0.03 Ohm |
| قاب ترانزیستور |
TO3PN |
| کاربردها |
General purpose power amplifier |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.