مشخصات ترانزیستور ماسفت MTP3N50 MOSFET Transistor
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
25 W |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
500 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
30 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
3 A |
| جریان اشباع درین-سورس (Idss) |
1 uA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (tr) |
25 nS |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
280 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
2.1 Ohm |
| قاب ترانزیستور |
TO220 |
| کاربردها |
high efficiency switch mode power supplies, active power factor correction and electronic lamp ballasts based on half bridge topology |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.