مشخصات بی جی تی ترانزیستور C1959 Transistor BJT
جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
---|---|
قطبیت |
NPN |
حداکثر توان مصرفی (Pc) |
500 mW |
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
35 V |
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
30 V |
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
5 V |
حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
500 mA |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
انتقال فرکانس (Ft) |
300 MHz |
ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
7 pF |
حداقل بهره جریان (Hfe) |
25 |
قاب ترانزیستور |
TO92 |
کاربردها |
general purpose |
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور C1959 Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.