مشخصات ترانزیستور ماسفت IRF820B MOSFET Transistor
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
50 W |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
500 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
20 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
2.5 A |
| جریان اشباع درین-سورس (Idss) |
0.25 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (tr) |
8.6 nS |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
360 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
3 Ohm |
| قاب ترانزیستور |
TO220 |
| کاربردها |
Power MOSFET , Fast Switching |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.